AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN レネサスデザイン ドイツ GmbH

[アデスト]

記述

AT45DB041Eは,1.65V最小,シリアルインターフェイス連続アクセスフラッシュメモリで,さまざまなデジタル音声,画像,プログラムコード,およびデータストレージアプリケーションに最適です.AT45DB041Eは,非常に高速な動作を必要とするアプリケーションのためのRapidSシリアルインターフェースもサポートしています4番目だ194AT45DB041Eは,メインメモリに加えて,それぞれ256/264バイトの2つのSRAMバッファーも含んでいる.バッファは,メインメモリ内のページが再プログラムされている間,データの受信を可能にします..
両バファーの間を交差させることで,連続的なデータストリームを書くシステムの能力が劇的に向上する.また,SRAMバファーは,追加のシステム・スクラッチパッドメモリとして使用できる.E2PROMエミュレーション (ビットまたはバイト変更可能) は,自立した3段階の読み取り,変更,書き込み操作で簡単に処理できます..

特徴

● 1.65V - 3.6V の単一電源
● シリアル 周辺 インターフェース (SPI) が 互換性 を 持っ て い ます
● SPI モード 0 と 3 をサポート
● RapidSTM 操作をサポート
● 全配列を連続読み取れる
● 85MHz まで
● 15 MHz まで の 低 電力 読み込み オプション
● 時計から出力時間 (tV) 最大6ns
● ページのサイズがユーザーに設定できます
● ページあたり 256 バイト
● ページあたり 264 バイト (デフォルト)
● 256 バイト の ページ サイズ を 工場 で 前もって 設定 でき ます
● 2 つの完全に独立した SRAM データバッファー (256/264 バイト)
● メインメモリ配列を再プログラムしながらデータ受信を可能にします
● 柔軟 な プログラム 選択
● バイト/ページ プログラム (1 から 256/264 バイト) を 直接 メイン メモリ に
● バッファー 書き込み
● メイン メモリ ページ プログラム に バッファー
● 消し去る 選択肢 が 柔軟 に ある
● ページ 消去 (256/264 バイト)
●ブロック消去 (2KB)
● セクターの消去 (64KB)
● チップ 消去 (4-Mbits)
● プログラム と 消す 停止/再開
● ハードウェア や ソフトウェア の 高度 な データ 保護 機能
● 個別部門の保護
● 各部門をロックし,どの部門も永久に読み取り可能にする
● 128 バイト の 一 回 プログラム できる セキュリティ レジ スト (OTP)
● 64 バイト の 工場 プログラム で 唯一 の 識別 符 が 付い て い ます
● 64 バイト ユーザ プログラム可能
● ハードウェア や ソフトウェア に 制御 さ れ て いる リセット オプション
● JEDEC 標準 製造者 と デバイス ID を 読み取る
● 低電力 の 消耗
● 400nA 超深電源ダウン電流 (典型)
● 3μA ディープ・パワー・ダウン電流 (典型)
● 25μA スタンバイ電流 (典型)
● 7mA アクティブ・リーディング・電流 (典型的には @ 15 MHz)
● 耐久 性: ページ 一 件 に プログラム や 削除 の サイクル が 最低 で 10万 回
● データ の 保存: 20 年
● 工業用温度帯全体に対応する
● 緑色 (Pb/ハリドール 無/RoHS 準拠) のパッケージングオプション
● 8 発 の SOIC (0.150 インチ 幅,0.208 インチ 幅)
● 8パッド 超薄型 DFN (5 x 6 x 0.6mm)
● 8 ボール ワッファー レベル チップ スケール パッケージ
● ワッフル の 形 で 切る (1)