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キーワード [ ic ] 一致 1991 製品.
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 マイクロチップ技術
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | NVSRAM |
テクノロジー: | NVSRAM (不揮発性SRAM) |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM - DDR3L |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM - DDR3 |
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM |