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キーワード [ ic ] 一致 1991 製品.
CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
71256SA25YG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
S25FL256SAGBHVB00 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3L |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - シンクロン,DR II |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN レネサスデザイン ドイツ GmbH
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |