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キーワード [ ic ] 一致 1991 製品.
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |
DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC アナログデバイス株式会社/マキシム統合
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |
SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGAマイクロチップ技術
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC マイクロチップ テクノロジー
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EPROM |
テクノロジー: | EPROM - OTP |
FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | 前方 |
テクノロジー: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP フリーモントマイクロデバイスズ株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |
BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP ローム半導体
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |
MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA ウィンボンド・エレクトロニクス
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR |
S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ- |