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IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR2 |
CY14V256LA-BA35XI IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
AS4C128M8D3-12BAN IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3 |
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP アナログ デバイス インク/マキシム 統合
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | NVSRAM |
| テクノロジー: | NVSRAM （不揮発性SRAM） |
SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFNマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ |