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キーワード [ ic ] 一致 1991 製品.
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA アライアンスメモリー,インク
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM - DDR |
CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |
CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP ウィンボンド電子機器
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積(SLC) |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFNマイクロチップ技術
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |