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S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR4 |
S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 マイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMicroelectronics 電子機器について
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EPROM |
| テクノロジー: | EPROM - UV |
70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | DRAM - EDO |
IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | SDRAM - DDR3L |
TH58NVG3S0HTAI0 ICフラッシュ 8GBIT PARALLEL 48TSOP I キオキシア・アメリカ,インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（SLC） |
CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP サイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |