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M29W160EB70N6E ICフラッシュ 16MBIT PARALLEL 48TSOP マイクロンテクノロジー株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | フラッシュ |
---|---|---|---|
テクノロジー | フラッシュ- | 記憶容量 | 16Mbit |
記憶構成 | 2M x 8、1M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 70ns |
アクセス時間 | 70 ns | 電圧 - 供給 | 2.7V~3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 48-TFSOP (0.724"、18.40mmの幅) | 供給者のデバイスパッケージ | 48-TSOP |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
M29W160EB70N6E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W320EB70N6E | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W640FB70N6E | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W800DB70N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
M29W160ET70N6E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W320DT70N6E | IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W400DB70N6E | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
M29W800DT70N6E | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
NAND128W3A0BN6F TR | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W160FB70N3E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W640GB90NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W640GH70NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W640GT70NA6E | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W640GH70NA6F TR | IC FLASH 64MBIT PAR 48TSOP I | |
NAND512W3A2CN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29W320DT70N3F TR | IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I | |
M29W400FB55N3F TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I | |
M29W160ET70N3E | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP | |
NAND512W3A2SN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
M29F200FT5AN6F2 TR | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP |
製品の説明
製品詳細
概要
M29W160Eは16 Mbit (2Mb x8または1Mb x16) の非揮発性メモリで,読み取り,削除,再プログラムすることができます.これらの操作は単一の低電圧 (2,7 から 3.6V) 供給を使用して実行できます.パワーアップするとメモリはROMやEPROMと同じ方法で読み取れる読み込みモードにデフォルトされます..
特徴 概要
■ 供給電圧プログラム,消去,読み取りのためにVCC=2.7Vから3.6V
■ アクセス タイム: 70,90 ns
■ プログラミング 時間
バイト/Word 平均10μs
■ 35 メモリーブロック
1 ブートブロック (上部または下部位置)
2つのパラメータと32つのメインブロック
■ プログラム/消去制御器
組み込みバイト/ワードプログラムアルゴリズム
■ 消去,停止,再開モード
削除中に別のブロックを読み,プログラムする
■ UNLOCK BYPASS プログラム コマンド
生産/バッチプログラミングの速さ
■一時的なブロックの保護なしのモード
■ COMMON FLASH インターフェイス
64 ビット セキュリティコード
■ 低電力消費
スタンバイと自動スタンバイ
■ ブロックあたり100,000のプログラム/消去サイクル
■ 電子署名
製造者コード: 0020h
上部装置コード M29W160ET: 22C4h
底部装置コード M29W160EB: 2249h
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
パッケージケース | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅) |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 2.7V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 48-TSOP |
記憶容量 | 16M (2M x 8, 1M x 16) |
メモリタイプ | FLASH - NOR |
スピード | 70n |
フォーマットメモリ | フラッシュ |
Mfr | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
パッケージ | トレー |
商品の状況 | 時代遅れ |
メモリタイプ | 不揮発性 |
メモリ形式 | フラッシュ |
テクノロジー | FLASH - NOR |
メモリサイズ | 16Mb (2M x 8 1M x 16) |
メモリインターフェース | パラレル |
書き込みサイクル タイム ワード ページ | 70n |
アクセス時間 | 70 ns |
電圧供給 | 2.7V~3.6V |
マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージケース | 48-TFSOP (0.724" 18.40mm 幅) |
基本製品番号 | M29W160 |
記述
FLASH - NOR メモリ IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) パラレル 70ns 48-TSOP
NOR フラッシュ パラレル 3V/3.3V 16M ビット 2M x 8/1M x 16 70ns 48ピンTSOPトレイ
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