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AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA アライアンスメモリー,インク

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
---|---|---|---|
テクノロジー | SDRAM | 記憶容量 | 128Mbit |
記憶構成 | 4M × 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | 143のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 2ns |
アクセス時間 | 5.4 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 90-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 90-TFBGA (8x13) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C4M32S-7BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C4M32S-6BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C2M32S-6BIN | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C2M32S-7BCN | IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C2M32S-6BCN | IC DRAM 64MBIT LVTTL 90TFBGA | |
AS7C351232-10BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-6BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS7C325632-10BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C2M32S-7BCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C4M32S-7BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C2M32S-6BINTR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C4M32S-6BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-7BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32SA-7BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS7C325632-10BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS7C351232-10BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
AS4C8M32S-7BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32S-6BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32S-7BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
AS4C8M32S-6BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
製品の説明
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | アライアンス・メモリー |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
パッケージケース | 90LFBGA |
動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 3V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 90TFBGA (8x13) |
記憶容量 | 128M (4M x 32) |
メモリタイプ | SDRAM |
スピード | 143MHz |
フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAMメモリIC 128Mb (4M x 32) パラレル 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 SDRAM
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