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BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP テキサスインストゥルメント
| ブランド名 | Texas Instruments |
|---|---|
| モデル番号 | BQ4010MA-85 |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | NVSRAM （不揮発性SRAM） | 記憶容量 | 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆 |
| 記憶構成 | 8K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 85n |
| アクセス時間 | 85ns | 電圧 - 供給 | 4.75V～5.5V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 穴を抜ける |
| パッケージ/ケース | 28DIPモジュール (0.61",15.49mm) | 供給者のデバイスパッケージ | 28DIPモジュール (18.42x37.72) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| BQ4010MA-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011MA-100 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011YMA-100 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011YMA-70 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010LYMA-70N | IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP | |
| BQ4011LYMA-70N | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010MA-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010MA-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010MA-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-150N | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-70N | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4010YMA-85N | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011MA-150 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011MA-200 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011YMA-150 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011YMA-150N | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011YMA-200 | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | |
| BQ4011YMA-70N | IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
製品の説明
製品詳細
記述/特徴
10BQ040 表面マウントのショットキー直線器は,低前落とPCボードの非常に小さな足跡を必要とするアプリケーションのために設計されています.典型的なアプリケーションはディスクドライブ,電源を切り替えるバッテリー充電と バッテリー保護
• 足跡 が 小さく,表面 に 装着 できる
• 前向きの電圧の低減• 高周波操作
• 耐久性 と 長期 的 な 信頼性 を 向上 さ せる 保護 環
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | テキサス・インストラクション |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレー |
| パッケージケース | 28DIPモジュール (0.61",15.49mm) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.75V~5.5V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 28DIPモジュール (18.42x37.72) |
| 記憶容量 | 64K (8K x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 85n |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリ IC 64Kb (8K x 8) パラレル 85ns 28-DIP モジュール (18.42x37.72)
NVRAM NVSRAM パラレル 64Kbit 5V 28ピンのDIPモジュール
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