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IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| ブランド名 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| モデル番号 | IS43R32400E-5BL-TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR | 記憶容量 | 128Mbit |
| 記憶構成 | 4M × 32 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 200 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns |
| アクセス時間 | 700 ps | 電圧 - 供給 | 2.3V | 2.7V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 144-LFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 144-LFBGA (12x12) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43R32400E-5BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-5BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-5BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-5BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32160D-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32400E-4B | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5B | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
| IS43R32800D-5BI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA |
製品の説明
製品詳細
特徴
● 標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V● 低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
● 高速データ転送速度
933 MHz まで
● 8 つの内部バンクが同時に動作する
● 8n ビットプリフェッチアーキテクチャ
● プログラム可能な CAS 遅延
● プログラム可能な添加遅延: 0,CL-1,CL-2
● プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
● プログラム できる 爆発 長さ: 4 と 8
● プログラム できる 爆発 配列: 配列 や 交差 配列
● 瞬く間に BL を 切り替える
● 自動 更新 (ASR)
● 自発 更新 温度 (SRT)
● 更新 期間:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
● 部分 配列 自動 更新
● アシンクロンな RESET ピン
● TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
●OCD (オフチップ ドライバー 阻害 調整)
● ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
● ドライバーの強さ: RZQ/7,RZQ/6 (RZQ = 240)
● 書き込み の レベル
● DLL のオフ モード で 200 MHz まで
● 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | IS43R32400E |
| タイプ | DDR1 |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 144-LFBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.3V~2.7V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 144-LFBGA (12x12) |
| 記憶容量 | 128M (4M x 32) |
| メモリタイプ | DDR SDRAM |
| スピード | 200MHz |
| アクセス時間 | 5 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| 組織 | 4 M × 32 |
| 供給電流最大 | 320mA |
| データバスの幅 | 32ビット |
| 供給電圧最大 | 2.7V |
| 供給電圧-分 | 2.3V |
| パッケージケース | LFBGA-144 |
| 最大 時計周波数 | 200 MHz |
記述
SDRAM - DDRメモリIC 128Mb (4M x 32) パラレル200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
DRAMチップ DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 144-ピン LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2.5v
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