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IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社

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x商品の詳細
記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | SRAM |
---|---|---|---|
テクノロジー | SRAM -非同期 | 記憶容量 | 16Mbit |
記憶構成 | 1M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 45ns |
アクセス時間 | 45 ns | 電圧 - 供給 | 2.2V | 3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージ/ケース | 48-VFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 48-VFBGA (6x8) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS62WV102416EBLL-45BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV10248EBLL-45BLI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416FBLL-45BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EBLL-45BLI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216HBLL-45B2LI | 8Mb, Low Power/Power Saver,Async | |
IS62WV12816EALL-55BLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS62WV12816EALL-55BLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR | IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS62WV25616EALL-55BLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI | IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
IS62WV25616EALL-55BLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EBLL-45BLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EALL-55BLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV51216EALL-55BLI | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EBLL-55BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV20488FBLL-45BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV20488FBLL-45BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EBLL-55BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EALL-55BLI-TR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
IS62WV102416EALL-55BLI | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
製品の説明
製品詳細
記述
TheISSIIS62WV102416ALL/BLLとIS65WV102416BLLは,16Mビットで1024K文字×16ビットに組織された高速な静的RAMである.ISSIの高性能CMOS技術を使用して製造されている.この高度に信頼性の高いプロセスと 革新的な回路設計技術高性能で低消費電力装置を生産します.
特徴
高速アクセス時間: 25, 35 ns• 高性能で低消費のCMOSプロセス
• 騒音 抵抗 を 強化 する ため に 多重 の 中部 電力 と 接地 ピン を 用いる
• CS1 と OE オプション で 簡単に メモリ を 拡張 する
• CS1の電源停止
• 完全静的操作: 時計やリフレッシュは必要ありません
• TTL に対応する入力と出力
• 単一電源
VDD 1.65V から 2.2V (IS62WV102416ALL)
VDD 1.65V から 2.2V の速度 = 35ns
VDD 2.4Vから3.6V (IS62/65WV102416BLL)
VDD 2.4V から 3.6V の回転 = 25ns
• 提供されているパッケージ:
48ボールのミニBGA (9mm x 11mm)
48ピンTSOP (タイプI)
• 産業用・自動車用温度サポート
• 鉛 の ない 製品
• 上位および下位バイトのデータ制御
仕様
属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | ISSI |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | - |
タイプ | アシンクロン |
パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
マウントスタイル | SMD/SMT |
パッケージケース | 48-VFBGA |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 2.2V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 48-VFBGA (6x8) |
記憶容量 | 16M (1M x 16) |
メモリタイプ | SRAM - アシンクロン |
スピード | 45ns |
アクセス時間 | 45 ns |
フォーマットメモリ | RAM |
最大動作温度 | + 85C |
動作温度範囲 | - 40°C |
インターフェースタイプ | パラレル |
組織 | 1 M × 16 |
供給電流最大 | 12mA |
供給電圧最大 | 3.6V |
供給電圧-分 | 2.2V |
パッケージケース | BGA-48 |
記述
SRAM - アシンクロンメモリIC 16Mb (1M x 16) パラレル45ns 48-VFBGA (6x8)
SRAM チップ アシンク シングル 2.5V/3.3V 16M ビット 1M x 16 45ns 48ピン TFBGA
SRAM 16Mb 低 Pwr/Pwr Svr アシンクロ 1Mx16 45ns
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