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W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA ウィンボンド電子
| ブランド名 | Winbond Electronics |
|---|---|
| モデル番号 | W631GG6KB-12 |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM - DDR3 | 記憶容量 | 1Gbit |
| 記憶構成 | 64M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 800 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | 20 ns | 電圧 - 供給 | 1.425V | 1.575V |
| 動作温度 | 0°C | 85°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 96-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 96-WBGA (9x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W631GG6KB-12 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB-15 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB-11 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-12 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB-15 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB15I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-11 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB12I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-12 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB12I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-15 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB12I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB-12 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB12I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB-15 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB15I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB-12 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-15 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB15I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-11 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-12 TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB12I TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB-15 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB15I TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB-12 TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB12I TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB-15 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB15I TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB-11 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB-12 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB-15 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB15I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-09 | IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA | |
| W632GG6KB11I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB12J | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB15J | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-18 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB-11 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB11I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB12J | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-11 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB-11 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB11I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB11I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB12J | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB15J | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB12J | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB11I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
W631GG6KBは 1Gビット DDR3 SDRAMで 8つに分類されています388,608 words x 8 banks x 16 bit. このデバイスは,様々なアプリケーションのために1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) まで高速転送速度を達成する. W631GG6KBは,以下の速度グレードに分類されています: -11,-12DDR3-1866 (13-13-13) 仕様に対応している. -12,12I,15A,15K,15K,15I,15A,15K.12Aと12Kの速度グレードは,DDR3-1600 (11-11-11) 仕様に適合している (12I産業グレードは,保証される -40°C ≤ TCASE ≤ 95°Cに対応する)-15,15I,15Aおよび15Kの速度グレードは,DDR3-1333 (9-9-9) 仕様に対応しています (15I産業グレードは,-40°C ≤ TCASE ≤ 95°Cをサポートすることを保証します).
特徴
電力供給: VDD,VDDQ = 1.5V ± 0.075V双重データレートアーキテクチャ:クロックサイクルあたり2回のデータ転送
8つの内部バンクが同時運用
8 ビットプリフェッチアーキテクチャ
CAS遅延: 6, 7, 8, 9, 10, 11 と 13
波長8 (BL8) と波長4 (BC4) モード:モードレジスタ (MRS) により固定またはオン・ザ・フライ (OTF) で選択可能
プログラム可能な読み込みの順序: 切り込みまたはニッブル
双方向の差分データストロブ (DQSとDQS#) がデータと送信/受信されます
読み込みデータと縁を並べ,書き込みデータとセンターを並べ
DLLは,DQとDQSの移行をクロックと調整します.
差点クロック入力 (CKとCK#)
ポジティブな CK エッジ,データ,データマスクに入力されたコマンドは,差分データストロブペアの両方のエッジに参照されます (データ速度は倍になります)
命令,アドレス,データバス効率の向上のために,プログラム可能な添加遅延 (AL = 0, CL - 1 と CL - 2) を有するCASを投稿
読み込み遅延 = 加算遅延 + CAS遅延 (RL = AL + CL)
読み書きバーストの自動前充電操作
更新,自己更新,自動自己更新 (ASR) と部分配列自己更新 (PASR)
前充電電源オフとアクティブ電源オフ
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ウィンボンド電子 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| カテゴリー | 直角型コネクタ - 配列,エッジタイプ,メザンライン (ボードからボード) |
| 製造者 | ヒロゼ・エレクトリック・コー・株式会社 |
| シリーズ | IT1 |
| パッケージ | トレー |
| 部分の地位 | アクティブ |
| コネクタタイプ | モジュール,センター・ストリップ・コンタクト |
| ポジション数 | 252 ポジション |
| ピッチ | 0.020" (0.50mm) |
| 列数 | 2 行目 |
| マウントタイプ | - |
| 特徴 | 双面型 |
| コントクト・フィニッシュ | 金 |
| コンタクト・フィニッシュ・厚さ | - |
| 交尾 積み上げ 高さ | - |
| 板の上の高さ | - |
記述
SDRAM - DDR3メモリIC 1Gb (64M x 16) パラレル800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
DRAMチップ DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96ピンのWBGA
推薦されたプロダクト
