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MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| ブランド名 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| モデル番号 | MT49H16M18SJ-25:B TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | ドラム | 記憶容量 | 288Mbit |
| 記憶構成 | 16m × 18 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 400 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | 20 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
| 動作温度 | 0°C | 95°C （TC） | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 144-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 144-FBGA (18.5×11) |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT49H16M18SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-5 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M16FM-5 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36BM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36SJ-5:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H64M9SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25E:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H64M9SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
製品の説明
製品詳細
一般的な説明
The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. RLDRAM は行/列のアドレスのマルチプレックスを必要とせず,高速なランダムアクセスと高速な帯域幅のために最適化されています.RLDRAMは,通信システムにおける送信または受信バッファなどの通信データストレージ,および大量のメモリを必要とするデータまたは指示キャッシュアプリケーションのために設計されています.
特徴
• 2.5V VEXT,1.8V VDD,1.8V VDDQ I/O• 最大データ出力帯域幅のためのサイクリックバンクアドレス
• 複素化されていない住所
• 2 つの (2 ビット) の不中断的な連続爆発
プリフェッチ) と 4 つの (4 ビットプリフェッチ) DDR
• 600 Mb/s/p のデータ速度を目標とする
プログラム可能な読み込み遅延 (RL) 5-8
読み取れるデータとして有効なデータ有効信号 (DVLD)
• データマスク信号 (DM0/DM1) はまずマスクし,次に
書き込みデータバーストの第2部分
• IEEE 1149.1 に準拠する JTAG 境界スキャン
偽HSTL 1.8V I/O 供給
• 内部 自動 前充電
• リフレッシュ要件: 100°Cの交差点で32ms
温度 (8K リフレッシュ 各バンク,64K リフレッシュ
命令は合計で 32ms ごとに発せなければなりません)
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マイクロン・テクノロジー株式会社 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 144-TFBGA |
| 動作温度 | 0°C~95°C (TC) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 144-μBGA (18.5×11) |
| 記憶容量 | 288M (16M x 18) |
| メモリタイプ | RLDRAM 2 |
| スピード | 2.5ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
DRAMメモリIC 288Mb (16M x 18) パラレル400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
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