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IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| ブランド名 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| モデル番号 | IS42S16100H-7BL-TR |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | SDRAM | 記憶容量 | 16Mbit |
| 記憶構成 | 1M x 16 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 143のMHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | 5.5 ns | 電圧 - 供給 | 3V~3.6V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 60-TFBGA (6.4×10.1) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS42S16100H-7BL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100H-6BL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100H-7BL | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100H-7BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100H-6BL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100H-6BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100H-7BLI | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100H-6BLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| AS4C4M16SA-7B2CNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA | |
| AS4C4M16SA-7B2CN | IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA | |
| IS42S16400J-7B2LI-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100H-7BLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16400J-7B2LI | IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100H-7BLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100H-7BLA2-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100H-7BLA2 | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7B | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7B-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7BI | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7BI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7BL | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7BL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7BLI | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100C1-7BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16400D-6BL | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16400D-6BL-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16400D-7BL | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16400D-7BL-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16400D-7BLI | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16400D-7BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16100E-7BL | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100C1-7BLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16100E-7B | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100E-7BLI | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100E-7BI | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16400D-6BLI | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16100E-7BL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100C1-7BLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16100E-7B-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100E-7BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100E-7BI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16400D-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA | |
| IS42S16100E-6BL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100E-6BLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100E-6BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100E-6BL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100F-6BL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100F-6BLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100F-6BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100F-6BL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS42S16100F-7BL | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100F-7BLI | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100F-7BLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS42S16100F-7BL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100E-7BLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS45S16100E-7BLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA |
製品の説明
製品詳細
ISSIの16Mbの同期DRAMIS42S16100は,性能向上のために524,288文字×16ビット×2バンクとして組織されています.同期DRAMはパイプラインアーキテクチャを使用して高速データ転送を実現するすべての入力と出力信号は,クロックインプットの上昇するエッジを指します.
特徴
• 時計周波数: 166, 143, 100 MHz• 完全同期;すべての信号は正の時計のエッジに参照される
• 2つの銀行が同時に独立して運営できる
• A11 (銀行選択) が制御するダブル・インナー・バンク
単一の3.3V電源
• LVTTLインターフェース
• プログラム できる 爆発 長さ (1, 2, 4, 8, 全ページ)
• プログラム可能な爆発配列: 配列/インターリーブ
• 自動 更新,自己 更新
• 128 ms ごとに 4096 回のリフレッシュ サイクル
• 時計サイクルごとにランダムな列アドレス
• プログラム可能なCAS レイテンシー (2,3 時間)
• 読み込み/書き込み,読み込み/書き込み操作の能力
• 爆発停止と前充電コマンドによる爆発停止
• LDQMとUDQMによって制御されるバイト
• パッケージ 400ミリ 50ピンTSOPII
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | - |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 60TFBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 3V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 60-TFBGA (6.4×10.1) |
| 記憶容量 | 16M (1M x 16) |
| メモリタイプ | SDRAM |
| スピード | 143MHz |
| フォーマットメモリ | RAM |
記述
SDRAMメモリIC 16Mb (1M x 16) パラレル 143MHz 5.5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
16M 3.3V SDRAM 1MX16 143MH
DRAM 16M 3.3V SDRAM 1Mx16 143Mhz RoHS
推薦されたプロダクト
