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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II アライアンスメモリー,インク

  • AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
ブランド名 Alliance Memory, Inc.
モデル番号 AS4C32M16D1A-5TIN
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価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
受渡し時間 3~5 営業日
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR 記憶容量 512Mbit
記憶構成 32M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 200 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 700 ps 電圧 - 供給 2.3V | 2.7V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 66-TSSOP （0.400"、10.16mmの幅） 供給者のデバイスパッケージ 66-TSOPII
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Part Number Description
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TANTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TAN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TAN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:JTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B:MTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

仕様

属性 属性値
製造者 アライアンス・メモリー
製品カテゴリー メモリIC
シリーズ -
パッケージ トレイ 代替パッケージ
パッケージケース 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
インターフェース パラレル
電圧供給 2.3V~2.7V
供給者 デバイス パッケージ 66-TSOPII
記憶容量 512M (32M x 16)
メモリタイプ DDR SDRAM
スピード 200MHz
フォーマットメモリ RAM
札:

安定したフラッシュ・メモリIC

揮発フラッシュ・メモリIC非

SPIのフラッシュ・メモリIC