すべての製品
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP アナログ デバイス インク/マキシム 統合
| ブランド名 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| モデル番号 | DS1245AB-70+ |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
試供品およびクーポンのための私に連絡しなさい。
Whatsapp:0086 18588475571
微信: 0086 18588475571
スカイプ: sales10@aixton.com
心配があれば、私達は24時間のオンライン・ヘルプを提供する。
x商品の詳細
| 記憶タイプ | 不揮発性 | 記憶フォーマット | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | NVSRAM （不揮発性SRAM） | 記憶容量 | 1Mビット |
| 記憶構成 | 128K X 8 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | - | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 70ns |
| アクセス時間 | 70 ns | 電圧 - 供給 | 4.75V~5.25V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 穴を抜ける |
| パッケージ/ケース | 32-DIPモジュール（0.600"、15.24mm） | 供給者のデバイスパッケージ | 32-EDIP |
あなたはあなたが必要とする製品にチェックを入れて、メッセージボードで私たちと通信することができます。
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
製品の説明
製品詳細
記述
DS1245 1024k 非揮発性 SRAMは1,048576ビットで 完全に静的で 揮発性のない SRAMで 8ビットで 131,072文字に分けられます各完全なNV SRAMには,自立したリチウムエネルギー源と制御回路があり,容量を超えた状態を常にVCCを監視する.このような状態が発生すると,リチウムエネルギー源は自動的にオンになり,データ腐敗を防ぐために書き込み保護は無条件に有効になります.DIPパッケージDS1245デバイスは,既存の128k x 8静的RAMの代わりに使用可能で,人気のあるバイト幅32ピンDIP標準に直接適合していますパワーキャップモジュールパッケージのDS1245デバイスは,直接表面にマウント可能で,通常DS9034PC パワーキャップと組み合わせて完全な非揮発性 SRAM モジュールを形成します.実行できる書き込みサイクルの数に制限はないし,マイクロプロセッサインターフェイスには追加のサポート回路は必要ありません..
特徴
■ 10 年間の最小データ保存は,外部電源がない場合■ 電源切断時のデータ自動保護
■ 128k x 8 の不安定な静的RAM,EEPROM,フラッシュメモリを代替する
■ 無制限の書き込みサイクル
■ 低電力 CMOS
■ 70 ns の読み書きアクセス時間
■ リチウムエネルギー源は,電源が初めて供給されるまで新鮮さを保つために,電気的に切断されます.
■ VCC 動作範囲の完全 ±10% (DS1245Y)
■ 任意のVCC動作範囲 ±5% (DS1245AB)
■選択的な産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND
■ JEDEC 標準 32ピン DIP パッケージ
■ パワーキャップ モジュール (PCM) パッケージ
- 直接表面に設置できるモジュール
- 交換可能なスナップオンパワーキャップはリチウムバックアップバッテリーを提供します
- すべての非揮発性 SRAM 製品のための標準化されたピノート
#名前?
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | マキシム 統合 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | DS1245AB |
| パッケージ | トューブ |
| マウントスタイル | 穴を抜ける |
| パッケージケース | 32DIPモジュール (0.600" 15.24mm) |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 4.75V~5.25V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 32-EDIP |
| 記憶容量 | 1M (128K x 8) |
| メモリタイプ | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
| スピード | 70n |
| アクセス時間 | 70 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| 稼働供給電流 | 85 mA |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 128k x 8 |
| パート#アリアス | 90-1245A+B70 DS1245AB |
| データバスの幅 | 8ビット |
| 供給電圧最大 | 5.25V |
| 供給電圧-分 | 4.75V |
| パッケージケース | EDIP-32 |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| DS1245Y-70+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS 適合, DIP-32 | マキシム 統合製品 | DS1245AB-70+ と DS1245Y-70+ |
| DS1245AB-70IND 記憶力 |
128KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 70ns, DMA32, 0.740 インチ,拡張モジュール, DIP-32 | ロチェスター・エレクトロニクス | DS1245AB-70+ と DS1245AB-70IND |
| DS1245Y-70IND 記憶力 |
128KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 70ns, DMA32, 0.740 インチ,拡張モジュール, DIP-32 | ロチェスター・エレクトロニクス | DS1245AB-70+ と DS1245Y-70IND |
| M48Z128Y-70PM1 記憶力 |
128KX8 非揮発性 SRAM モジュール,70ns,PDMA32,PMDIP-32 | STMマイクロ電子機器 | DS1245AB-70+ 対 M48Z128Y-70PM1 |
| DS1245Y-70 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH,拡張モジュール, DIP-32 | マキシム 統合製品 | DS1245AB-70+ と DS1245Y-70 |
| DS1245AB-70 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | ダラス・セミコンダクター | DS1245AB-70+ と DS1245AB-70 |
| DS1245Y-70IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS 適合, DIP-32 | マキシム 統合製品 | DS1245AB-70+ と DS1245Y-70IND+ |
| DS1245AB-70IND+ 記憶力 |
非揮発性 SRAM モジュール, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS 適合, DIP-32 | マキシム 統合製品 | DS1245AB-70+ と DS1245AB-70IND+ |
| M48Z128-70PM1 記憶力 |
128KX8 非揮発性 SRAM モジュール,70ns,PDMA32,PMDIP-32 | STMマイクロ電子機器 | DS1245AB-70+ 対 M48Z128-70PM1 |
記述
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 1Mb (128K x 8) 平行70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM 不揮発性
推薦されたプロダクト
