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IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| ブランド名 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| モデル番号 | IS49NLC18160-25B |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | Based on current price |
| パッケージの詳細 | アンチステティックバッグと紙箱 |
| 受渡し時間 | 3~5 営業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | ストック |
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x商品の詳細
| 記憶タイプ | 揮発 | 記憶フォーマット | ドラム |
|---|---|---|---|
| テクノロジー | RLDRAM 2 | 記憶容量 | 288Mbit |
| 記憶構成 | 16m × 18 | 記憶インターフェイス | パラレル |
| クロック周波数 | 400 MHz | 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - |
| アクセス時間 | 20 ns | 電圧 - 供給 | 1.7V~1.9V |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) | マウントタイプ | 表面マウント |
| パッケージ/ケース | 144-TFBGA | 供給者のデバイスパッケージ | 144-FCBGA (11x18.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS49NLC18320A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC96400A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLS18320A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLS96400A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC36160A-25EWBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC18160-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-25BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-25BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-25BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-33B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-33BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-33BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC18160-33BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC18320-25B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-33B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-33BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-33BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-33BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-25BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-25BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-25BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-25EBL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-25EBLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-33B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-33BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-33BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-33BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-33B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-33BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-33BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-33BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-25B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-25BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-25BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-25BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-33B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-33BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLS18160-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLS96400A-33WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA |
製品の説明
製品詳細
■ 特徴
1スミット・トリガー・サーキット2低電圧動作型 (VCC:2.3から7.0V)
3高い感度タイプ (IS481 E VHL: TYP. 5.4 lx at Ta=25 ̊C)
(IS482 E VLH: TYP. 5.4 lx ター=25 ̊C)
4. LSTTLとTTL互換性
5. 低レベルの出力 臨時照明 (IS481)
照明下での高レベルの出力 (IS482)
■ アプリケーション
1バッテリー駆動の携帯機器
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | ISSI |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | IS49NLC18160 |
| タイプ | DDR1 |
| パッケージ | トレー |
| 単位重量 | 0.015757オンス |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| 商標名 | RLDRAM2 |
| パッケージケース | 144-TFBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | 共同入出 |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 144-FCBGA (11x18.5) |
| 記憶容量 | 288M (16M x 18) |
| メモリタイプ | RLDRAM 2 |
| スピード | 2.5ns |
| アクセス時間 | 2.5 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| 組織 | 16 M × 18 |
| 供給電流最大 | 408 mA |
| データバスの幅 | 18ビット |
| 供給電圧最大 | 1.9V |
| 供給電圧-分 | 1.7V |
| パッケージケース | BGA-144 |
| 最大 時計周波数 | 400 MHz |
記述
DRAMメモリIC 288Mb (16M x 18) パラレル400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
DRAM 288Mbit x18 普通 I/O 400MHz リード付き
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