IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク

ブランド名 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
モデル番号 IS43DR16640C-25DBL
最小注文数量 1
価格 Based on current price
パッケージの詳細 アンチステティックバッグと紙箱
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM - DDR2 記憶容量 1Gbit
記憶構成 64M x 16 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 400 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 400 ps 電圧 - 供給 1.7V~1.9V
動作温度 0°C | 85°C (TC) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 84-TFBGA 供給者のデバイスパッケージ 84-TWBGA (8x12.5)
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Part Number Description
IS43DR16320E-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-25DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320E-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320E-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16128C-25DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBL IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBL IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-37CBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320E-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320E-25DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320E-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160B-25DBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320E-25DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-25DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320E-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-25DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320E-3DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBLI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBL-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-3DBLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640C-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-25DBLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16160B-25DBLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-25DBLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA2-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-3DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25DBLA2 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-25DBLI-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16128C-3DBLI IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA1-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA1 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA2-TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16128C-3DBLA2 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640A-3DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-25EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-37CBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBL IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-3DBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-5BBLI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16160A-5BBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-25DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320C-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25EBLA1 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16640B-25EBLA1-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-25DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBI IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16320D-3DBI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640C-3DBI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBI IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25EBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-25DBA2 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320C-3DBA2 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
IS46DR16320D-3DBA2 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

特徴

標準電圧: VDD と VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低電圧 (L): VDD と VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5Vまでバックコンパクト
• 933 MHz まで の システム 周波数 で 高速 データ 転送 速さ
• 8つの内部バンクが同時に運用される
• 8n-Bit プリフェッチ アーキテクチャ
• プログラム可能なCAS遅延
• プログラム可能な添加遅延: 0 CL-1,CL-2
• プログラム可能なCAS WRITE レイテンシー (CWL)
• プログラム可能な爆発長: 4 と 8
• プログラム できる 爆発 の 順序: 順序 的 か 間接 的
• 瞬時に BL を 切り替える
•自動自動更新 (ASR)
• 自動更新温度 (SRT)
• リフレッシュ インターバル:
7.8 us (8192サイクル/64 ms) Tc=-40°Cから85°C
3.9 us (8192サイクル/32 ms) Tc= 85°Cから105°C
• 部分 の 配列 自己 更新
• アシンクロン リセットピン
• TDQS (Termination Data Strobe) がサポートされています (x8のみ)
• OCD (オフチップドライバー阻害調整)
• ダイナミック ODT (オン・ダイ・ターミネーション)
ドライバ強度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 書き直し
• DLL のオフ モード で 200 MHz まで
• 動作温度:
商業用 (TC=0°Cから+95°C)
工業用 (TC=-40°Cから+95°C)
自動車用,A1 (TC = -40°Cから+95°C)
自動車用 A2 (TC = -40°Cから+105°C)

仕様

属性 属性値
製造者 ISSI
製品カテゴリー メモリIC
製造者 ISSI
製品カテゴリ DRAM
RoHS 詳細
ブランド ISSI
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ# 記述 製造者 比較する
MT47H64M16NF-25E:M
記憶力
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS コンパイル, FBGA-84 マイクロン・テクノロジー IS43DR16640C-25DBL 対 MT47H64M16NF-25E:M
MT47H64M16NF-25EIT:M
記憶力
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, ROHS コンパイル, FBGA-84 マイクロン・テクノロジー IS43DR16640C-25DBL 対 MT47H64M16NF-25EIT:M
IS43DR16640C-25DBLA2
記憶力
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH,リードフリー, TWBGA-84 統合シリコンソリューション株式会社 IS43DR16640C-25DBL 対 IS43DR16640C-25DBLA2
IS43DR16640C-25DBLA1
記憶力
DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH,リードフリー, TWBGA-84 統合シリコンソリューション株式会社 IS43DR16640C-25DBL 対 IS43DR16640C-25DBLA1

記述

SDRAM - DDR2 メモリIC 1Gb (64M x 16) パラレル 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
DRAMチップ DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84ピン TW-BGA
DRAM DDR2,1G1.8V,RoHs 400MHz,64Mx16