MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社

ブランド名 Micron Technology Inc.
モデル番号 MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR
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商品の詳細
記憶タイプ 揮発 記憶フォーマット ドラム
テクノロジー SDRAM -移動式LPDDR 記憶容量 512Mbit
記憶構成 16M x 32 記憶インターフェイス パラレル
クロック周波数 200 MHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 15ns
アクセス時間 5 ns 電圧 - 供給 1.7V | 1.95V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA) マウントタイプ 表面マウント
パッケージ/ケース 90-VFBGA 供給者のデバイスパッケージ 90-VFBGA (8x13)
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Part Number Description
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-8 IT TR IC SDRAM 256MB 125MHZ 90-VFBGA
MT48H8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48H8M32LFF5-8 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFF5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
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MT48V4M32LFF5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFF5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFF5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-75:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-5 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFB5-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
メッセージ
Part Number Description
製品の説明

製品詳細

移動型低電源DDR SDRAM

特徴

VDD/VDDQ = 1.70×1.95V
• バイトデータ (DQS) の2方向データストロブ
• 内部,パイプラインドダブルデータレート (DDR) アーキテクチャ; 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQS の端は READ のデータと並べられ,中央は WRITE のデータと並べられる
• 4つの内部バンクを同時に運用する
• データマスク (DM) 書き込みデータをマスクする; 1バイトあたり1つのマスク
• プログラム可能な爆発長 (BL): 2, 4, 8 または 16
• 同期自動前充電オプションがサポートされています.
• オートリフレッシュと自己リフレッシュモード
●1.8V LVCMOS対応の入力
• 温度 補償 自動 更新 (TCSR)
• 部分配列の自己更新 (PASR)
• 深度の停電 (DPD)
• 状態読み取りレジスタ (SRR)
選択可能な出力駆動強度 (DS)
• 時計停止能力
• 64ms のリフレッシュ, 32ms の自動車温度

仕様

属性属性値
製造者マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージテープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース90VFBGA
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給1.7V~1.95V
供給者 デバイス パッケージ90VFBGA (8x13)
記憶容量512M (16M x 32)
メモリタイプ移動型LPDDR SDRAM
スピード200MHz
フォーマットメモリRAM

記述

SDRAM - モバイルLPDDRメモリIC 512Mb (16M x 32) パラレル200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)