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71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS61DDB21M18A-300B4L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - シンクロン,DR II |
IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI,統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（MLC） |
MAX1672EEE+ IC REG BUCK BST ADJ/PROG 16QSOP アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 機能: | 増大する/軽減する |
|---|---|
| 出力構成: | ポジティブ |
| 地勢学: | 木びき台、倍力 |
LT1425CS#PBF IC REG FLYBACK 135MA 16SOIC アナログデバイスズ インク
| 機能: | 増大する/軽減する |
|---|---|
| 出力構成: | 肯定的か否定的、可能な分離 |
| 地勢学: | フライバック |