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キーワード [ surface mount clock timing ic ] 一致 276 製品.
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAPマイクロチップ技術
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |
MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP STMマイクロ電子機器
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積(MLC) |
MT29F128G08AKAAAC5:A IC Flash 128GBIT PARALLEL 52VLGA マイクロンテクノロジー インク
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積(MLC) |
AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP マイクロチップ テクノロジー
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | EEPROM |
テクノロジー: | EEPROM |
SPC5644CF0VLU8 IC MCU 32ビット 1.5MB フラッシュ 176LQFP N✖P USA Inc.
中心プロセッサ: | e200z4d、e200z0h |
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コアサイズ: | 32ビット二重中心 |
スピード: | 80MHz/120MHz |