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キーワード [ surface mount clock timing ic ] 一致 276 製品.
MT29F2G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ- |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積 |
AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC レネサスデザイン ドイツ GmbH
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | フラッシュ |
テクノロジー: | フラッシュ |
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |