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キーワード [ surface mount clock timing ic ] 一致 276 製品.
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMicroelectronics 電子機器について
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
IS61WV25616BLL-10BLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJマイクロチップ技術
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | EEPROM |
| テクノロジー: | EEPROM |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - シンクロン,DR II |
IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI 統合シリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | ドラム |
| テクノロジー: | RLDRAM 2 |