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キーワード [ ic ] 一致 1991 製品.
CY7C0853AV-100BBC IC SRAM 9MBIT PAR 172FBGAサイプレス半導体株式会社
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI 統合シリコンソリューション インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | PSRAM |
| テクノロジー: | PSRAM （擬似SRAM） |
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA マイクロンテクノロジー株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ-否定論履積（MLC） |
IS25LP064A-JLLE IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション株式会社
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
R1LP0408DSP-7SI#S0 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM |
S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 不揮発性 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | フラッシュ |
| テクノロジー: | フラッシュ- |
CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA インフィニオン・テクノロジーズ
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,MOBL |
AS7C1024B-12TJCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
AS7C1024B-12JCN IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ アライアンスメモリー,インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |