STAV58010P2 ガリウムナイトリド 50V, 10W,DC-6GHz RF パワートランジスタ

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xOperating Voltage | 55 Vdc | Maximum forward gate current | 2 mA |
---|---|---|---|
Gate--Source Voltage | S -8 to +0.5 Vdc | Drain--Source Voltage | +200 Vdc |
Storage Temperature Range | -65 to +150 | Case Operating Temperature | +150 |
Operating Junction Temperature | +225 |
ガリウム ニトリド 50V 16W DC-6GHzRF パワー トランジスタ
記述
について STAV58016P2 は a は 16 ワット 匹敵しない GaN HEMT 理想的なについて 一般的な用途に 6GHzで
特徴は高い 幅広く バンド そして 低い 費用 中 4*4.5mmDFNプラスチック パッケージ
それはできる サポートCW パルスあるいは どれか 調節された シグナル
ほら は ありません 保証 について この状況で 部分 は 使った 外から について 発表 周波数について
- 典型的な クラス AB シングル - キャリア W--CDMA 特徴付け 性能:
VDD = 50 Vdc私はDQ = 20 mA インプット シグナル PAR = 10 dB @0.01% 可能性 について CCDFに
(その日) インノグラーション 申請板 溶接した装置)
周波数 | パウト | CCDF | ピーク | ピーク | ACRP | 利益 | エフ |
---|---|---|---|---|---|---|---|
3300 | 33.00 | 9.12 | 42.12 | 16.3 | -35だ9 | 16.8 | 27.8 |
3400 | 32.99 | 9.04 | 42.03 | 16.0 | -36だ3 | 17.1 | 27.8 |
3500 | 33.00 | 8.92 | 41.92 | 15.6 | -37だ1 | 17.4 | 28.7 |
3600 | 32.97 | 8.90 | 41.88 | 15.4 | -38 だった1 | 17.5 | 27.4 |
3700 | 33.00 | 8.97 | 41.97 | 15.7 | -39 だった4 | 17.4 | 27.4 |
3800 | 33.01 | 8.90 | 41.91 | 15.5 | -40歳7 | 16.6 | 25.7 |
申請
- 5G 4G ワイヤレスインフラ
- ブロードバンド あるいは 狭いバンド パワー 増幅器
- テスト 道具
- 民事 パルス レーダー
- ジャマー