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キーワード [ surface mount interface integrated circuits ] 一致 136 製品.
71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
VNH5019ATR-E IC MTR DRV 5.5-24V MULTIPWRSO-30 STMicroelectronics
| 段階モーター タイプ-: | - |
|---|---|
| モーター タイプ- AC、DC: | ブラシをかけられたDC |
| 機能: | 運転者-十分に統合された、制御および力の段階 |
トランジスター運転者力管理IC REG CTRLR BCK PSH-PULL 16SOIC SG3525AP013TR
| 出力タイプ: | トランジスター運転者 |
|---|---|
| 機能: | 軽減する、増大する/軽減する |
| 出力構成: | 陽性 |
7025S20PF IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
70V24L15PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
70T3539MS133BC IC SRAM 18MBIT PAR 256CABGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
70V9269L12PRFGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 128TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,同期 |
70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |