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AS1353-18-T IC REG LINEAR 1.8V 150MA SOT23-5 ams-OSRAM USA INC. インターナショナル・ライブラリ・センター
| 出力構成: | ポジティブ |
|---|---|
| 出力型: | 固定 |
| 規制当局の数: | 1 |
71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -非同期 |
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM -、SDR同期 |
MAX16910CATA8/V+T IC REG LIN POS ADJ 200MA 8TDFN アナログデバイス株式会社/マキシム統合
| 出力構成: | 陽性 |
|---|---|
| 出力型: | 調節可能（固定される） |
| レギュレータの数: | 1 |
70V24L15PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |
70V657S10BFG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
| 記憶タイプ: | 揮発 |
|---|---|
| 記憶フォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - デュアルポート,非同期 |