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キーワード [ surface mount clock timing ic ] 一致 276 製品.
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT 並列 165FPBGA GSI テクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - クアッドポート,同期 |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | ドラム |
MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM - DDR4 |
IS61C1024AL-12JLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ ISSI 統合シリコンソリューション インク
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM -非同期 |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA マイクロンテクノロジー株式会社
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM -移動式LPDDR4 |
AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA アライアンスメモリー,インク
記憶タイプ: | 揮発 |
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記憶フォーマット: | ドラム |
テクノロジー: | SDRAM - モバイルLPDDR2 |
MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP カガFEI アメリカ,インク
記憶タイプ: | 不揮発性 |
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記憶フォーマット: | 前方 |
テクノロジー: | FRAM (Ferroelectric RAM) |